東京テクノロジー、低加速電圧で超高密度描画に成功−電子デバイスなど応用期待

東京テクノロジー（東京都八王子市、奥寺智社長、０４２・６３５・３０４４）は、群馬大学の保坂純男教授や曾根逸人助教の指導を受け、加速電圧３０キロボルトでシリコンウエハー上に直径１５ナノ―１８ナノメートル（ナノは１０億分の１）のドット（点）を２５ナノメートル間隔で超高密度描画することに成功した（写真）。１平方インチ当たり１テラビット（テラは１兆）の超高密度に相当する。 　

ドットを形成するレジスト素材の最適化や、レジスト膜の薄膜化などにより実現した。同技術の実用化でパターンメディアをはじめとする磁気記録、電子デバイスなどへの応用が期待できる。 　

これまで高密度電子線パターン描画作成には、加速電圧が少なくとも５０キロ―１００キロボルトの高加速電圧の装置が利用されてきた。今回、同３０キロボルト以下の低エネルギー描画装置で、１５ナノメートルレベルの高密度描画を可能にした。加速電圧が高いと、熱に弱い試料はダメージを受けてしまうため、低加速電圧での描画装置の開発を求める声は大きかった。

今後はハード・ソフト両面の改良を行うことにより、さらなる超高密度ドットパターン技術の開発に着手する。０８年３月をめどに電子顕微鏡メーカーと協力して、同技術を採用した電子線描画装置の発売を目指す。

日刊工業新聞2007年7月27日版31面より許可を得て転載(N-3147)
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